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如何改善開關(guān)電源電路的EMI特性?
點擊次數(shù):935 更新時間:2021-09-18


為提高開關(guān)電源的功率密度,電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積,從而在單位體積內(nèi)可實現(xiàn)更高的功率等級。但是隨著開關(guān)頻率的提高,會帶來EMI特性的惡化,必須采取有效的措施改善電路的EMI特性

 

開關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開關(guān)頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。由于MOSFET上的電壓和電流在開關(guān)時會快速變化,快速變化的電壓和電流與這些雜散電容和寄生電感相互作用,會導(dǎo)致電壓和電流出現(xiàn)尖峰,使輸出噪聲明顯增加,影響系統(tǒng)EMI特性。

 

 

由1-1和1-2式可知,寄生電感和di/dt形成電壓尖峰,寄生電容和dv/dt形成電流尖峰。這些快速變化的電流和關(guān)聯(lián)的諧波在其他地方產(chǎn)生耦合的噪聲電壓,因此影響到開關(guān)電源EMI特性。下面以反激式開關(guān)拓?fù)錇槔?,對降低MOSFET的dv/dt和di/dt措施進(jìn)行介紹。

 

 

圖1 MOSFET噪聲源

 

1

 降低MOSFET的dv/dt

 

 

圖2 MOSFET等效電路

 

我們關(guān)注的是MOSFET特性以及影響這些特性的寄生效應(yīng):

 

 

 

1-3中,Rg和Cgd越大,dv/dt越低。1-4中,Coss越低,dv/dt越高。在MOSFET選型中,MOSFET的Coss、Ciss、Crss參數(shù)特性,影響開關(guān)尖峰大小。

 

從上述分析中可知,我們可以通過提高M(jìn)OSFET寄生電容Cgd、Cgs、Cds和增大驅(qū)動電阻值Rg來降低dv/dt。

 

 

圖3 降低MOSFET的dv/dt措施

 

可以采取以下有效措施:

 

  • 較高的Cds可以降低dv/dt并降低Vds過沖;但是較高的Cds會影響轉(zhuǎn)換器的效率??梢允褂镁哂休^低擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的MOSFET(這類MOSFET的Cds也較?。?。但是如果考慮噪聲輻射,則需要使用較大的諧振電容(Cds)。因此提高Cds則需要權(quán)衡EMI和效率兩者的關(guān)系;

  • 較高的Cgd實質(zhì)上增加了MOSFET在米勒平臺的持續(xù)時間,可以降低dv/dt。但這會導(dǎo)致增加開關(guān)損耗,從而降低MOSFET效率并且會提高其溫升。提高Cgd,需要驅(qū)動電流也會大幅增加,驅(qū)動器可能會因瞬間電流過大而燒毀;建議不要輕易添加Cgd;

  • 在柵極處添加外部Cgs電容,但很少使用此方法,因為增加?xùn)艠O電阻Rg相對更簡單。效果是相同的。

 

總結(jié)

圖3總結(jié)為降低MOSFET的dv/dt措施總結(jié)。MOSFET內(nèi)部寄生參數(shù)(Cgd和Cds)較低時,就可能有必要使用外部Cgd和Cds來降低dv/dt。外部電容的范圍為幾pF到100pF,這為設(shè)計人員提供這些寄生電容的固定值進(jìn)行參考設(shè)計。

 

2

 降低電路中di/dt

 

 

圖4 降低MOSFET的di/dt措施

 

圖4,MOSFET驅(qū)動階段中存在的各個di/dt部分產(chǎn)生兩種效果:

  • G極、D極、S極處的雜散電感引起的噪聲電壓;

  • 初級大環(huán)路的噪聲電壓。

 

可通過下面措施進(jìn)行改進(jìn):

 

1、增加高頻電容減小環(huán)路面積

 

我們可以采取措施減小高頻電位跳變點的PCB環(huán)路面積。增加高頻高壓直流電容C_IP是減少PCB環(huán)路面積和分離高頻和低頻兩個部分回路有效措施。

 

2、合理增加磁珠抑制高頻電流

 

為了額外降低di/dt,可以在電路中增加已知的電感,以抑制高頻段的電流尖峰和振蕩。已知的電感與雜散電感串聯(lián),所以總電感值在設(shè)計者已知的電感范圍內(nèi)。鐵氧體磁珠就是很好的高頻電流抑制器,它在預(yù)期頻率范圍內(nèi)變?yōu)殡娮?,并以熱的形式消散噪聲能量?/span>

 


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